MMF60R190Q

MMF60R190Q — силовий N-канальний MOSFET компанії Magnachip, виготовлений за технологією Super Junction.

Оптимізована технологія зарядової компенсації дозволяє отримати низький RDS(on) та низький заряд затвора Qg. Це зменшує провідникові та комутаційні втрати й підвищує ефективність силового перетворювача.

Висока швидкість перемикання та оптимізовані динамічні характеристики також сприяють зниженню рівня EMI.

Основні особливості

• низькі втрати потужності;
• висока швидкість перемикання;
• низький опір відкритого каналу;
• низький заряд затвора;
• технологія Super Junction;
• низькі комутаційні втрати;
• низький рівень електромагнітних завад (EMI);
• 100% тестування на лавинний пробій;
• безсвинцеве покриття виводів;
• безгалогенний корпус.

Системи застосування

• каскади PFC блоків живлення;
• імпульсні перетворювачі;
• мережеві адаптери;
• керування двигунами;
• DC–DC-перетворювачі.

Практично при ремонті

При перевірці MMF60R190Q необхідно контролювати:

• відсутність короткого замикання D–S;
• відсутність пробою G–S;
• резистор затвора;
• драйвер MOSFET;
• ланцюг PFC/PWM;
• снаббер або RCD-кламп;
• силові діоди та конденсатори.

100% Avalanche Test не означає, що транзистор може працювати з необмеженими імпульсами перенапруги. Викиди VDS під час вимикання необхідно обмежувати схемою снаббера/клампа.

Теги: MMF60R190Q, MMF60R190QTH, 60R190Q, MOSFET, N-Channel, 600V, 20A, 0.19Ω, Super Junction, TO-220F, MagnaChip