FQPF12N80C
- Модель: FQPF12N80C
- Наявність: 10
45.0
12N80 — потужний N-канальний MOSFET з індукованим каналом (Enhancement Mode), розрахований на максимальну напругу 800 В та струм до 12 А.
Транзистор виготовлений за технологією Planar Stripe та DMOS, яка забезпечує низький опір відкритого каналу та високі характеристики перемикання.
Конструкція оптимізована для зменшення RDS(ON) і забезпечення високої швидкості перемикання.
Транзистор також здатний витримувати імпульси високої енергії в режимах лавинного пробою (Avalanche) та комутації.
UTC 12N80 призначений для застосування у високоефективних імпульсних джерелах живлення (SMPS).
Основні характеристики
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Режим роботи | Enhancement Mode |
| Максимальна напруга стік-витік | 800 В |
| Максимальний струм стоку | 12 А |
| RDS(ON) | < 1,0 Ω |
| Умова вимірювання | VGS = 10 В |
| Швидкість перемикання | Висока |
| Avalanche | 100% тестування |
| Технологія | Planar Stripe + DMOS |
Особливості
- RDS(ON) < 1,0 Ω при VGS = 10 В.
- Висока швидкість перемикання.
- Покращена стійкість до dv/dt.
- Висока стійкість до лавинних імпульсів.
- 100% avalanche testing.
- Максимальна напруга 800 В.
- Призначений для високоефективних імпульсних джерел живлення.
Застосування
- Flyback-джерела живлення;
- мережеві AC/DC перетворювачі;
- імпульсні блоки живлення;
- адаптери живлення;
- інша високовольтна силова електроніка.
Теги: QPF12N80C, 12N80C, 12N80, MOSFET, N-Channel, 800V, 12A, TO-220F, Fairchild, ON Semiconductor