NCE3050K

NCE3050K — потужний MOSFET із n-каналом, виготовлений за сучасною trench-технологією. Така конструкція забезпечує дуже низький опір відкритого каналу (R_DS(on)) при малому заряді затвора, що робить транзистор ефективним для різних силових застосувань.

Ключові характеристики

• Напруга стік-витік: V_DS = 30 В

• Максимальний струм стоку: I_D = 50 А

• Опір відкритого каналу:
  • < 11 мΩ при V_GS = 10 В
  • < 16 мΩ при V_GS = 5 В

• Високощільна структура кристала для мінімального R_DS(on)

• Повністю охарактеризовані параметри лавинного пробою (струм і напруга)

• Висока стабільність та рівномірність параметрів при великій енергії лавини E_AS

• Корпус із хорошим тепловідведенням

• Спеціальна технологія з підвищеною стійкістю до електростатичних розрядів (ESD)

Застосування

• Силові комутаційні елементи

• Жорстко керовані та високочастотні перетворювачі

• Джерела безперебійного живлення (UPS)

Теги: NCE3050K, MOSFET, силовий транзистор, N-channel, 60V, TO-252, транзистор для інверторів, транзистор для блоків живлення