AONR21321
- Модель: AONR21321
- Наявність: 2
15.0
Це МОП транзистор із P-каналом, розрахований на максимальну напругу стік–витік -30 В і струм до 24 А при V<sub>GS</sub> = -10 В. Виріб виготовлений за вдосконаленою траншейною технологією, має низький опір відкритого каналу і підвищену надійність.
Ключові параметри
-
Напруга стік–витік: -30 В
-
Постійний струм стоку: -24 А
-
Опір каналу:
-
< 16.5 мОм при V<sub>GS</sub> = -10 В
-
< 29.5 мОм при V<sub>GS</sub> = -4.5 В
-
-
Енергія лавинного пробою: 31 мДж
-
Робоча температура: до 150°C
-
Діапазон зберігання: -55°C … 150°C
-
Перевірено на стійкість до лавинних імпульсів (UIS)
-
Випробування R<sub>g</sub> виконано на 100%
Теплові характеристики
-
R<sub>θJC</sub> (перехід–корпус): 4.2 °C/Вт
-
R<sub>θJA</sub> (перехід–навколишнє середовище): 47°C/Вт
Застосування
-
Комутація живлення в ноутбуках
-
Захист літієвих акумуляторів
-
Імпульсні стабілізатори
-
Зарядні пристрої
Теги: AONR21321, P-MOS, DFN 3x3_EP, силовий MOSFET, низький Rds(on), −30В, 24А