70S1K4P7

CoolMOS™ P7 — семейство высоковольтных силовых MOSFET компании Infineon Technologies, разработанное по принципу Superjunction (SJ).

Платформа CoolMOS™ P7 оптимизирована для чувствительных к стоимости потребительских применений, таких как:

• зарядные устройства;
• сетевые адаптеры;
• светотехника;
• телевизоры;
• другие импульсные источники питания.

Технология сочетает преимущества быстродействующего Superjunction MOSFET с низкими коммутационными потерями, хорошими тепловыми характеристиками и высокой удельной мощностью. Это позволяет создавать компактные и тонкие конструкции с высокой эффективностью.

Основные параметры

Особенности

• чрезвычайно низкие потери благодаря низким значениям:
  • RDS(on) × Qg;
  • RDS(on) × Eoss;
• отличные тепловые характеристики;
• встроенный диод защиты от ESD;
• низкие коммутационные потери;
• в частности, низкая энергия Eoss;
• валидация продукции согласно стандартам JEDEC.

Преимущества

• конкурентоспособная стоимость;
• снижение рабочей температуры;
• повышенная устойчивость к ESD;
• возможность повышения эффективности при увеличении частоты переключения;
• возможность создания источников питания с высокой плотностью мощности;
• уменьшение габаритов конечного устройства.

Системы применения

Рекомендуется для Flyback-топологий, например:

• зарядные устройства;
• сетевые адаптеры;
• импульсные источники питания;
• светотехнические устройства;
• другие потребительские SMPS.

Важное замечание при параллельном включении

Для параллельного включения нескольких MOSFET производитель в общем случае рекомендует использовать:

• ферритовые бусины (ferrite beads) в цепях затворов, либо
• отдельные totem-pole драйверы.

Это помогает контролировать динамику переключения и снижать риск нежелательных высокочастотных взаимодействий между параллельными MOSFET.

Что означают ключевые параметры

RDS(on) = 1,4 Ω max — максимальное сопротивление открытого канала при условиях, указанных в полном datasheet. Чем ниже RDS(on), тем меньше проводниковые потери.

Qg = 4,7 нКл typ — типичный полный заряд затвора. Чем меньше Qg при прочих равных условиях, тем легче быстро переключать MOSFET и тем меньше потери на управление затвором.

Eoss = 0,6 мкДж при 400 В — энергия, связанная с выходной ёмкостью MOSFET. Этот параметр особенно важен для высокочастотных преобразователей.

VGS(th) = 3 В typ — типичное пороговое напряжение затвор–исток. Это не означает, что при 3 В MOSFET полностью открыт. Для получения низкого RDS(on) необходимо использовать напряжение управления затвором, предусмотренное datasheet.

ID,pulse = 8,2 А — импульсный ток. Его нельзя автоматически считать допустимым постоянным током: допустимый непрерывный ток зависит от температуры корпуса, условий охлаждения и конкретного варианта корпуса.

Практически при ремонте

Для Flyback на 700-вольтовом Superjunction MOSFET важно учитывать не только сам транзистор.

Если такой MOSFET пробит, желательно проверить:

1. PWM-контроллер;
2. резистор затвора;
3. цепь питания драйвера;
4. снаббер/RCD-кламп на первичной стороне;
5. выпрямитель и сетевой электролит;
6. трансформатор;
7. цепь обратной связи;
8. вторичный выпрямитель и выходные конденсаторы.

Для сетевого Flyback с шиной около 310–325 В DC после выпрямителя запас по VDS необходим из-за выбросов напряжения на стоке при выключении MOSFET. Поэтому наличие номинала 700 В не означает, что реальные импульсы на стоке должны приближаться к 700 В.

Теги: 70S1K4P7, IPD70R1K4P7S, CoolMOS, P7, MOSFET, N-Channel, 700V, 1.4Ω, 8.2A, TO-252, DPAK, Infineon