MMF60R190Q

MMF60R190Q — силовой N-канальный MOSFET компании Magnachip, выполненный по современной технологии Super Junction.

Применение оптимизированной технологии зарядовой компенсации позволяет получить одновременно низкое сопротивление открытого канала RDS(on) и низкий заряд затвора Qg. Это уменьшает проводниковые и коммутационные потери и позволяет повысить эффективность силового преобразователя.

Благодаря высокой скорости переключения и оптимизированным характеристикам коммутации MOSFET обеспечивает также низкий уровень EMI и уменьшенные потери при переключении.

Основные особенности

• низкие потери мощности благодаря:
  • высокой скорости переключения;
  • низкому сопротивлению открытого канала;
• технология Super Junction;
• оптимизированная технология зарядовой компенсации;
• низкий заряд затвора;
• сниженные коммутационные потери;
• низкий уровень электромагнитных помех (EMI);
• 100% тестирование на лавинный пробой (Avalanche);
• экологичный корпус:
  • бессвинцовое покрытие выводов (Pb Free);
  • отсутствие галогенов (Halogen Free).

Принципиальное преимущество Super Junction

В обычном высоковольтном MOSFET снижение RDS(on) часто сопровождается увеличением заряда затвора и ухудшением динамических характеристик.

Технология Super Junction позволяет эффективнее использовать структуру силового MOSFET, поэтому можно получить сочетание:

низкий RDS(on) + низкий Qg + высокая скорость переключения.

Это особенно полезно в высокочастотных импульсных преобразователях.

Системы применения

• каскады PFC источников питания;
• импульсные силовые преобразователи;
• сетевые адаптеры;
• управление электродвигателями;
• DC–DC-преобразователи.

Практически при ремонте

MMF60R190Q предназначен прежде всего для работы в силовых импульсных каскадах, где важны не только максимальное напряжение и ток, но и динамические параметры MOSFET.

При диагностике платы с таким транзистором имеет смысл проверить:

1. D–S — отсутствие короткого замыкания;
2. G–S — отсутствие пробоя затвора;
3. резистор в цепи затвора;
4. драйвер затвора;
5. цепь PFC/PWM;
6. снаббер или RCD-кламп;
7. диоды и конденсаторы силового каскада;
8. наличие короткого замыкания во вторичной части преобразователя.

Важно: наличие у MOSFET 100% Avalanche Test не означает, что внешний силовой каскад можно эксплуатировать без ограничителей выбросов. В реальном преобразователе необходимо контролировать выбросы напряжения VDS при выключении транзистора.

Точные значения VDS, ID, RDS(on), Qg, VGS и корпус необходимо брать именно из таблицы Key Parameters для конкретной версии MMF60R190Q.

Теги: MMF60R190Q, MMF60R190QTH, 60R190Q, MOSFET, N-Channel, 600V, 20A, 0.19Ω, Super Junction, TO-220F, MagnaChip