FQPF12N80C

12N80 — мощный N-канальный MOSFET с индуцированным каналом (Enhancement Mode), рассчитанный на максимальное напряжение 800 В и ток до 12 А.

Транзистор изготовлен по современной технологии Planar Stripe и DMOS, обеспечивающей низкое сопротивление открытого канала и хорошие характеристики переключения.

Конструкция MOSFET оптимизирована для уменьшения сопротивления RDS(ON) и обеспечения высокой скорости переключения.

Транзистор также способен выдерживать импульсы высокой энергии в режимах лавинного пробоя (Avalanche) и коммутации (Commutation).

UTC 12N80 предназначен прежде всего для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания (SMPS).

Основные характеристики

Особенности

• RDS(ON) < 1,0 Ω при VGS = 10 В.
• Высокая скорость переключения.
• Улучшенная устойчивость к dv/dt.
• Способность выдерживать лавинные импульсы.
• 100% avalanche testing — каждый транзистор проходит испытание на лавинный режим.
• Высокое допустимое напряжение 800 В.
• Предназначен для высокоэффективных импульсных источников питания.

Что означает Avalanche Tested

100% avalanche tested означает, что транзисторы проходят индивидуальное испытание на способность выдерживать заданный лавинный импульс.

Это особенно важно для силового MOSFET в Flyback-преобразователях, где при выключении ключа возникают выбросы напряжения на стоке.

При этом данная характеристика не означает, что MOSFET можно постоянно эксплуатировать в лавинном режиме. Допустимая энергия лавинного импульса определяется конкретными параметрами транзистора из таблицы Absolute Maximum Ratings.

Практически для ремонта

UTC 12N80 хорошо подходит для высоковольтной первичной части импульсных источников питания.

Типичная область применения:

сеть 220 В AC → выпрямитель → около 310 В DC → трансформатор Flyback → 12N80

При максимальном напряжении 800 В транзистор имеет определённый запас относительно постоянного напряжения на первичной шине, однако при работе Flyback на стоке могут возникать дополнительные импульсные выбросы.

Поэтому при ремонте важно проверять не только сам MOSFET, но и:

• RCD/TVS-снаббер стока;
• резисторы затвора;
• цепь управления затвором;
• токовый датчик;
• демпфирующие цепи;
• состояние трансформатора;
• наличие короткого замыкания на вторичной стороне.

RDS(ON) < 1 Ω при VGS = 10 В означает, что указанное сопротивление гарантируется при напряжении затвор-исток 10 В. Поэтому при замене MOSFET необходимо учитывать реальное напряжение управления затвором.

Теги: FQPF12N80C, 12N80C, 12N80, MOSFET, N-Channel, 800V, 12A, TO-220F, Fairchild, ON Semiconductor