NCE3050K

NCE3050K — это мощный N-канальный MOSFET, выполненный по современной траншейной технологии. Такая структура обеспечивает очень низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)) при малом заряде затвора, что делает транзистор эффективным и пригодным для широкого диапазона силовых применений.

Основные характеристики

• Напряжение сток-исток: V_DS = 30 В

• Максимальный ток стока: I_D = 50 А

• Сопротивление открытого канала:
  • < 11 мΩ @ V_GS = 10 В
  • < 16 мΩ @ V_GS = 5 В

• Высокоплотная ячейка кристалла обеспечивает сверхнизкий R_DS(on)

• Полностью охарактеризованные параметры лавинного пробоя (напряжение и ток)

• Отличная стабильность и равномерность параметров при высокой энергии лавины E_AS

• Корпус с оптимальным теплоотводом

• Специальная технология повышенной стойкости к электростатическим разрядам (ESD)

Основные применения

• Силовые ключи и коммутация мощности

• Жёсткие (жёсткопереключаемые) и высокочастотные схемы

• Источники бесперебойного питания (UPS)

Теги: NCE3050K, MOSFET, силовой транзистор, N-channel, 60V, TO-252, транзистор для инверторов, транзистор для БП