AONR21321
- Модель: AONR21321
- Наличие: 2
15.0
Это полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) типа P с максимально допустимым напряжением V<sub>DS</sub> = -30 В и высокой нагрузочной способностью — до 24 А при напряжении затвора V<sub>GS</sub> = -10 В. Благодаря современной траншейной технологии, транзистор обладает низким сопротивлением канала (R<sub>DS(ON)</sub>) и высокой скоростью переключения.
Краткие характеристики
-
Максимальное напряжение сток–исток: -30 В
-
Максимальный ток стока: -24 А (при V<sub>GS</sub> = -10 В)
-
Сопротивление канала:
-
< 16.5 мОм при V<sub>GS</sub> = -10 В
-
< 29.5 мОм при V<sub>GS</sub> = -4.5 В
-
-
Энергия лавинного пробоя: 31 мДж (L = 0.1 мГн)
-
Предельная температура кристалла: 150°C
-
Диапазон температур хранения: от -55°C до 150°C
-
Защита от электростатических разрядов (100% тест R<sub>g</sub>)
-
Тест на неразрушающее пробивание канала (UIS)
Тепловые характеристики
-
R<sub>θJC</sub> (переход–корпус): 4.2 °C/Вт
-
R<sub>θJA</sub> (переход–окружающая среда): 47°C/Вт (в корпусе DFN 3x3 EP)
Применение
-
Переключатели нагрузки в ноутбуках (AC-in)
-
Защита аккумуляторов (заряд/разряд)
-
Импульсные преобразователи
-
Модульные источники питания
Теги: AONR21321, P-MOSFET, DFN 3x3_EP, низкое Rds(on), силовой MOSFET, −30V, 24A, AO транзистор