Поиск
Товары, соответствующие критериям поиска
Сравнение товаров (0)
Производитель - TOSHIBAТехнические параметры :Корпус - TO-3PСтруктура - n-канал + диодМаксимальное н..
50.00 Грн
Характеристики транзистора 2SA1302 Структура - p-n-p Напряжение ..
80.00 Грн
Характеристики транзистора 2SA1941 Структура - p-n-p Напряжение ..
40.00 Грн
Характеристики транзистора 2SA1943 Структура - p-n-p Напряжение ..
45.00 Грн
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W ..
1.50 Грн
Характеристики транзистора 2SB688 Структура - p-n-p Напряжение к..
0.00 Грн
Type Designator: B772Material of Transistor: SiPolarity: PNPMaximum Collector Power Dissipatio..
10.00 Грн
Наименование производителя: 2SC2655Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая м..
5.00 Грн
Характеристики транзистора 2SC3281 Структура - n-p-n Напряжение ..
35.00 Грн
Биполярный транзистор 2SC3858 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.Наименование пр..
100.00 Грн
Характеристики транзистора 2SC5198 Структура - n-p-n Напряжение ..
40.00 Грн
Характеристики транзистора 2SC5200 Структура - n-p-n Напряжение ..
35.00 Грн
ОписаниеПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80Макcимально допустимое напряжение ..
0.00 Грн
The 2SD882 is NPN silicon transistor suited for the output stage of 3watts audio amplifier, voltage ..
15.00 Грн
Структура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, 40В Максимальный ток сток-исток при 2..
30.00 Грн
Показано с 1 по 15 из 20 (всего 2 страниц)