30F131 это n-канальный биполярный транзистор c изолированным затвором
(IGBT). Транзистор в основном применяется в плазменных панелях.
Транзистор рассчитан на напряжение пробоя 360 В и импульсный ток затвора
до 200 А. Напряжение коллектор-эмиттер 1,9 В при токе 120 А.
Цена указана за единицу товара. При покупке значительных количеств (для
каждого чипа индивидуально), можете указать в комментариях к заказу
"Предложите скидку". Менеджер свяжется с Вами по телефону для
согласования цены.
Примечание: мы не несем ответственности за работоспособность микросхемы в
проектах и схемах, разработанных и собранных самим пользователем или
третьими лицами. Работоспособность может гарантироваться только в
проектах и схемах, которые разработаны производителями электроники.
Покупатель должен сам оценить свою компетентность при создании проекта.
При сомнениях в качестве исполнения микросхемы производителем,
рекомендуем сначала покупать пробную партию в единичных количествах. При
этом мы можем зарезервировать для Вас требуемые количества на срок до 7
дней, чтобы они были именно из этой партии.
Характеристики:
модель: 30F131;
производитель: Toshiba;
корпус: TO-263-2;
напряжение пробоя: 360 В;
максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В;
максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А;
напряжение насыщения при номинальном токе: 1,9 В;
мощность: 140 Вт;
рабочая температура: -50 – 150°C.
30F131
- Код товара: 30F131
- Доступность: 4
-
30.00 Грн
Теги: GT30F131, D2PAK, Радиодетали недорого, Разъемы, транзисторы, микросхемы, диоды, конденсаторы, стабилизаторы напряжения