Характеристики транзистора 2SC5198

    Структура - n-p-n
    Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 140 В
    Напряжение коллектор-база, не более: 140 В
    Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
    Ток коллектора, не более: 10 А
    Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
    Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 55 до 160
    Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
    Корпус: TO-3P