Характеристики транзистора 2SB688

    Структура - p-n-p
    Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
    Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
    Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
    Ток коллектора, не более: -8 А
    Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
    Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 55 до 160
    Граничная частота коэффициента передачи тока: 12 МГц
    Корпус: TO-3P