Характеристики транзистора 2SC3281

    Структура - n-p-n
    Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 200 В
    Напряжение коллектор-база, не более: 200 В
    Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
    Ток коллектора, не более: 15 А
    Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
    Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 55 до 160
    Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
    Корпус: TO-3P