Полевые оранзисторы
Сравнение товаров (0)
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток..
15.00 Грн
Транзистор типа МОП-транзисторПолярность транзистора NНапряжение не более 55 ВТок, Id рабочий 80АТок..
70.00 Грн
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 131 WПредельно допустимое напряжение сто..
40.00 Грн
Type of Control Channel: N -ChannelMaximum Power Dissipation (Pd): 100 WMaximum Drain-Source V..
35.00 Грн
Технические параметрыСтруктура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В 150Максимальный ток с..
220.00 Грн
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 WПредельно доп..
50.00 Грн
FGA15N120ANTD1200V NPT Trench IGBTFeatures• NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient•..
120.00 Грн
FGA25N120;Корпус: TO-3P;Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В;Максимальный ток коллектор..
150.00 Грн
FQP27P06
от компании Fairchild является P-канальным QFET МОП-транзистором -60В в
корпусе TO-220...
30.00 Грн
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 WПредельно допустимо..
50.00 Грн
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd..
15.00 Грн
type of Control Channel: N -ChannelMaximum Power Dissipation (Pd): 23 WMaximum Drain-Source Voltage ..
10.00 Грн
• Ideal for high-frequency dc/dc converters• Qualified according to JEDEC1) for target applications•..
10.00 Грн
Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 40 В ..
20.00 Грн
Показано с 16 по 30 из 55 (всего 4 страниц)