Полевые оранзисторы

Сортировать:

Показывать:

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 WПредельно до..

50.00 Грн

Технические параметрыСтруктура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, 30ВМаксимальный ток ст..

0.00 Грн

RD16HHF1 Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56.8 WПредельн..

0.00 Грн

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 96 WПредельно допустимо..

45.00 Грн

N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор Напряжение сток исток 600ВМощность 80ВтТок стока ..

60.00 Грн

Маркировка: P75NF75 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N ..

20.00 Грн

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 58 WПредельно доп..

50.00 Грн

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.7 Ω (typ.)• High forward transfer admittance: |Yfs| =..

80.00 Грн

Type of Control Channel: N -ChannelMaximum Power Dissipation (Pd): 45 WMaximum Drain-Source Vo..

40.00 Грн

полевой транзистор W34NB20 MOSFET TO-247 TO-3P..

60.00 Грн

Показано с 46 по 55 из 55 (всего 4 страниц)