Полевые оранзисторы

Сравнение товаров (0)

Сортировать:

Показывать:

IRF3205

Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В ..

20.00 Грн

IRF3704ZS

Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 WПредельно допустимое напряжение сток..

30.00 Грн

IRF3710

Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В ..

20.00 Грн

IRF540N

Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В ..

20.00 Грн

IRF640N

Транзистор IRF640N n-канальный, МОП (MOSFET).Предназначен для использования в источниках вторичного ..

20.00 Грн

IRF7319

Транзистор микросхема IRF7319ХарактеристикиТип транзистора: MOSFETПолярность: NPМаксимальная рассеив..

30.00 Грн

IRFP260N

Характеристики транзистора IRFP260N Корпус - TO-247AC Напряжение..

50.00 Грн

IRFP450

Транзистор IRFP450 n-канальный, МОП (MOSFET). Предназначен для использования в источника..

30.00 Грн

IRFZ46N

Транзистор IRFZ46N N-канальный, МОП (MOSFET).Предназначен для использования в источниках вторичного ..

50.00 Грн

IRLB3034

Структура - n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В - 40 Максимальный ток сток-исток при ..

30.00 Грн

K10A50D

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно доп..

90.00 Грн

KF12N60F

Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49.8 WПредельно допустимое напряжение ст..

40.00 Грн

MDP1991

Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 223 W П..

100.00 Грн

P1203BV

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 WПредельно до..

30.00 Грн

P9NK50ZFP

Тип транзистора: N-канальный;Максимальный ток "сток"-"исток": 7.2A;Максимальный напряжение "сток"-"и..

30.00 Грн

Показано с 31 по 45 из 55 (всего 4 страниц)