Полевые оранзисторы
APM3055L
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток..
15.00 Грн
BUZ111S
Транзистор типа МОП-транзисторПолярность транзистора NНапряжение не более 55 ВТок, Id рабочий 80АТок..
70.00 Грн
CEP50N06
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 131 WПредельно допустимое напряжение сто..
40.00 Грн
CEP83A3
Type of Control Channel: N -ChannelMaximum Power Dissipation (Pd): 100 WMaximum Drain-Source V..
35.00 Грн
FDP2532
Технические параметрыСтруктура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В 150Максимальный ток с..
220.00 Грн
FDU8896
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 WПредельно доп..
50.00 Грн
FGA15N120
FGA15N120ANTD1200V NPT Trench IGBTFeatures• NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient•..
120.00 Грн
FGA25N120
FGA25N120;Корпус: TO-3P;Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В;Максимальный ток коллектор..
150.00 Грн
FQP27P06
FQP27P06 от компании Fairchild является P-канальным QFET МОП-транзистором -60В в корпусе TO-220...
30.00 Грн
FQP30N06
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 WПредельно допустимо..
50.00 Грн
HFS2N60
type of Control Channel: N -ChannelMaximum Power Dissipation (Pd): 23 WMaximum Drain-Source Voltage ..
10.00 Грн
IPS06N03LZ
• Ideal for high-frequency dc/dc converters• Qualified according to JEDEC1) for target applications•..
10.00 Грн
