Полевые оранзисторы
2SK2837
Производитель - TOSHIBAТехнические параметры :Корпус - TO-3PСтруктура - n-канал + диодМаксимальное н..
50.00 Грн
09N03LA
Маркировка: 09N03LAТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd)..
15.00 Грн
13N03LA
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 WПредельно доп..
15.00 Грн
20N60C3
Тип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 164WПредельно-допустимое ..
0.00 Грн
20N60S5
Product Name : MOS Power Transistor;Model No : 20N60S5;Pin Quantity : 3Drain Source Voltage : 600V;D..
50.00 Грн
2SK170(BL)
Структура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, 40В Максимальный ток сток-исток при 2..
30.00 Грн
2SK3797
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток-исток..
50.00 Грн
30F124
30F124 / GT30F124 IGBT транзистор• 30F124 IGBT транзистор• 300 В / 200 А IGBT• Пакет: TO-220F• Помеч..
20.00 Грн
30F131
30F131 это n-канальный биполярный транзистор c изолированным затвором (IGBT). Транзистор в основно..
30.00 Грн
AO4411
General Description Product SummaryVDSID (at VGS=-10V) -8ARDS(ON) (at VGS=-10V) < 32mΩRDS(ON) (at..
20.00 Грн
AO4494
Product SummaryVDS (V) = 30VID = 18A (VGS = 10V)RDS(ON) < 6.5mΩ (VGS = 10V)(VGS = 4.5V)..
40.00 Грн
AO4606
Descriptionuses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation..
13.00 Грн
APM2054N
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 WПредельно д..
15.00 Грн