Биполярные транзисторы

Сравнение товаров (0)

Сортировать:

Показывать:

8050SS

• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors• Capable of 1.0Watts(Tamb=25 OC) of Power Dissipation.• Coll..

1.00 Грн

8550SS

Polarity: PNPMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 1 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|..

1.00 Грн

BC546B

BC546 - маломощный биполярный NPN транзистор Характеристики:Максимальный ток коллектора ..

2.00 Грн

BC547

Технические характеристики BC547Параметр &nb..

1.00 Грн

BDP954

Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 WМакcимально допустимое напряжение к..

15.00 Грн

C1815

Технические характеристики напряжение К – Б VCBO = 60 В; напряже..

1.00 Грн

C945

Транзистор C945 (2SC945) биполярный TO92 0.1A 50V NPN - это высокочастотный, кремниевый, транзистор ..

1.00 Грн

E13007F2

Part number : E13007F, E13007F2Functions : 400V, 8A, NPN TransistorPackage information : TO-220F&nbs..

20.00 Грн

MJE13009F

Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение..

45.00 Грн

MJE15032G

Характеристики транзистора MJE15032 Структура - n-p-n Напряжение..

50.00 Грн

MJE15033G

Характеристики транзистора MJE15033 Структура - p-n-p Напряжение..

50.00 Грн

MMBT3906

Характеристики транзистора MMBT3906 2A Структура - p-n-p Н..

1.00 Грн

MMBT5551

Характеристики транзистора MMBT5551 Структура - n-p-n Напряжение..

2.00 Грн

S9014

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В&..

1.00 Грн

TIP120

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В&..

15.00 Грн

Показано с 16 по 30 из 32 (всего 3 страниц)