Биполярные транзисторы

Сравнение товаров (0)


2N2222

2N2222

Характеристики транзистора 2N2222    Структура - n-p-n    Напряжение к..

2.00 Грн

2N3906

2N3906

Технические характеристики и электрические параметры транзистора 2N3906Структура транзистора:  ..

1.00 Грн

2SA1302

2SA1302

Характеристики транзистора 2SA1302    Структура - p-n-p    Напряжение ..

80.00 Грн

2SA1941

2SA1941

Характеристики транзистора 2SA1941    Структура - p-n-p    Напряжение ..

40.00 Грн

2SA1943

2SA1943

Характеристики транзистора 2SA1943    Структура - p-n-p    Напряжение ..

45.00 Грн

2SB688

2SB688

Характеристики транзистора 2SB688    Структура - p-n-p    Напряжение к..

0.00 Грн

2SB772

2SB772

 Type Designator: B772Material of Transistor: SiPolarity: PNPMaximum Collector Power Dissipatio..

10.00 Грн

2SC2655-Y

2SC2655-Y

 Наименование производителя: 2SC2655Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая м..

5.00 Грн

2SC3281

2SC3281

Характеристики транзистора 2SC3281    Структура - n-p-n    Напряжение ..

35.00 Грн

2SC3858

2SC3858

Биполярный транзистор 2SC3858 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.Наименование пр..

100.00 Грн

2SC5198

2SC5198

Характеристики транзистора 2SC5198    Структура - n-p-n    Напряжение ..

40.00 Грн

2SC5200

2SC5200

Характеристики транзистора 2SC5200    Структура - n-p-n    Напряжение ..

35.00 Грн

2SD718

2SD718

ОписаниеПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80Макcимально допустимое напряжение ..

0.00 Грн

2SD882

2SD882

The 2SD882 is NPN silicon transistor suited for the output stage of 3watts audio amplifier, voltage ..

15.00 Грн

8050SS

8050SS

• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors• Capable of 1.0Watts(Tamb=25 OC) of Power Dissipation.• Coll..

1.00 Грн

Показано с 1 по 15 из 31 (всего 3 страниц)