Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N

Характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W
  Это максимальное количество энергии, которое транзистор может рассеивать без перегрева. Значение в 230 Вт позволяет использовать транзистор в приложениях, требующих значительных уровней мощности.

• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
  Это максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзистора. Значение в 500 В указывает на возможность работы с высокими напряжениями, что делает транзистор пригодным для высоковольтных приложений.

• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  Это максимальное напряжение между затвором и истоком, которое можно приложить без повреждения транзистора. Значение в 30 В предоставляет дополнительную надежность при управлении транзистором.

• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  Это минимальное напряжение на затворе, необходимое для включения транзистора. Значение в 4 В указывает на относительно низкий порог активации, что позволяет использовать транзистор в схемах с низким управляющим напряжением.

• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
  Это максимальный ток, который может проходить через сток транзистора при нормальных условиях работы. Значение в 25 А подходит для приложений средней мощности.

• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  Это максимальная температура, при которой транзистор может работать без риска повреждения. Значение в 150 °C указывает на высокую термостойкость транзистора, что делает его пригодным для работы в сложных условиях.

• Общий заряд затвора (Qg): 96 nC
  Это количество заряда, необходимое для полного включения транзистора. Значение в 96 нКл указывает на среднюю потребность в заряде для активации, что влияет на скорость переключения.

• Время нарастания (tr): 117 ns
  Это время, необходимое для перехода транзистора из выключенного состояния в включенное. Значение в 117 наносекунд указывает на достаточно быструю скорость переключения, что полезно в высокочастотных приложениях.

• Выходная емкость (Cd): 410 pF
  Это емкость между стоком и истоком транзистора, которая может влиять на его работу при высоких частотах. Значение в 410 пФ указывает на умеренную емкость, что может оказывать влияние на частотные характеристики схемы.

• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
  Это сопротивление между стоком и истоком транзистора, когда он включен. Значение в 0.26 Ом указывает на умеренное сопротивление, что определяет потери мощности и эффективность работы транзистора.

Описание:

MOSFET транзистор FSW25N50A предназначен для работы в высоковольтных и среднепоточных приложениях. Его высокая рассеиваемая мощность и допустимое напряжение сток-исток делают его подходящим для использования в мощных и высоковольтных схемах. Низкое пороговое напряжение включения и умеренное сопротивление сток-исток способствуют эффективной работе транзистора. Высокая температура канала и средняя емкость затвора делают этот транзистор подходящим для приложений с высокой температурной нагрузкой и умеренными частотными требованиями.