IRFB4110 – это мощный полевой транзистор с N-канальной структурой MOSFET, предназначенный для работы в высоковольтных и высокотоковых системах. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор широко применяется в импульсных источниках питания, преобразователях, моторных драйверах и других мощных схемах.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N-канальный
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
• Пороговое напряжение включения (Ugs(th)): 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 180 А
• Максимальная температура канала (Tj): 175°C
• Общий заряд затвора (Qg): 150 нКл
• Время нарастания (tr): 67 нс
• Выходная емкость (Cd): 670 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds(on)): 0.0045 Ом

Этот транзистор сочетает в себе высокую мощность и низкое сопротивление, что делает его подходящим для применения в высокоэффективных силовых системах.