SSF7509

Тип транзистора: MOSFET (Металлооксидный полевой транзистор)

Полярность: N-канальный транзистор. Это означает, что ток проходит от стока к истоку при наличии положительного напряжения на затворе относительно истока.

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 165 Вт. Это максимальная мощность, которую транзистор способен рассеивать в виде тепла без риска повреждения.

Максимальное напряжение сток-исток (|Uds|): 80 В. Это максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзистора без риска его выхода из строя.

Максимальное напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В. Это наибольшее напряжение между затвором и истоком, которое транзистор может выдержать без повреждения.

Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4 В. Это минимальное напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить ток между стоком и истоком.

Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 80 А. Это максимальный ток, который транзистор может проводить через сток без превышения его допустимых характеристик.

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C. Это наивысшая рабочая температура, при которой транзистор может функционировать без риска повреждения.

Общий заряд затвора (Qg): 93.6 нКл. Это количество заряда, необходимое для полного переключения транзистора между включенным и выключенным состоянием.

Время нарастания (tr): 15.2 нс. Это время, необходимое для перехода транзистора от состояния выключения к состоянию включения.

Выходная емкость (Cd): 330 пФ. Это емкость между стоком и затвором, которая влияет на скорость переключения транзистора.

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds(on)): 0.008 Ом. Это сопротивление между стоком и истоком, когда транзистор полностью включен, что влияет на потери мощности и общую эффективность устройства.

Тип корпуса: TO-220.

Демонтаж