• Тип канала управления: N-канал
• Максимальная мощность рассеяния (Pd): 45 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): 30 В
• Максимальное напряжение порога затвора (Vgs(th)): 4 В
• Максимальный ток стока (Id): 4,5 А
• Максимальная температура кристалла (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 17 нКл
• Время нарастания (tr): 35 нс
• Ёмкость сток-исток (Cd): 60 пФ
• Максимальное сопротивление в режиме включения (Rds(on)): 2,2 Ω

Этот MOSFET предназначен для использования в высоковольтных приложениях благодаря своему высокому напряжению сток-исток, а его относительно низкое сопротивление в режиме включения позволяет эффективно передавать значительные токи. Общий заряд затвора умеренный, что обеспечивает хорошие скорости переключения и требования к драйверу.

БУ