MMBT5401

Общие характеристики:

• Наименование производителя: MMBT5401
• Маркировка: 2L, K4M
• Тип материала: Кремний (Si)
• Полярность: PNP

Электрические характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 Вт
  Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева и повреждений.

• Максимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 В
  Максимальное напряжение между коллектором и базой, которое транзистор способен выдерживать.

• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 В
  Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером, которое транзистор может выдерживать.

• Максимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В
  Максимальное напряжение между эмиттером и базой, которое транзистор может выдерживать.

• Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 А
  Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора при нормальных условиях эксплуатации.

• Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
  Максимальная температура PN-перехода, при которой транзистор может работать без риска повреждения.

• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 МГц
  Частота, при которой транзистор сохраняет стабильный коэффициент передачи тока, что важно для высокочастотных приложений.

• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 пФ
  Ёмкость коллекторного перехода транзистора, которая влияет на его быстродействие при работе с высокочастотными сигналами.

• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
  Коэффициент усиления по току транзистора при постоянных условиях, определяющий его способность усиливать сигналы.

Корпус транзистора:

• Тип корпуса: SOT-23
  Компактный корпус для поверхностного монтажа, обеспечивающий малые размеры и удобство размещения на печатной плате.

Применение:

Транзистор MMBT5401 подходит для применения в усилителях, переключателях и других схемах, где необходима высокая стабильность работы при значительных напряжениях и токах. Его характеристики делают его идеальным для использования в различных электронных устройствах, особенно тех, которые требуют компактных решений.