MMBT9015LT1

Общие характеристики:

• Наименование производителя: MMBT9015LT1
• Маркировка: M6
• Тип материала: Кремний (Si)
• Полярность: PNP

Электрические характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 Вт
  Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать при нормальных условиях эксплуатации без риска перегрева и выхода из строя.

• Максимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 В
  Наибольшее напряжение между коллектором и базой транзистора, которое он может выдерживать без повреждений.

• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 В
  Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером, которое транзистор способен выдерживать без риска разрушения.

• Максимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В
  Наибольшее напряжение между эмиттером и базой, которое можно приложить без повреждения транзистора.

• Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 А
  Наибольший ток коллектора, который транзистор может безопасно проводить при длительной работе.

• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  Максимальная температура, до которой может нагреваться PN-переход транзистора, не вызывая его поломки.

• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 МГц
  Частота, при которой транзистор сохраняет стабильный коэффициент передачи тока, характеризующий его производительность при высоких частотах.

• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 пФ
  Ёмкость между коллектором и базой транзистора, что влияет на его высокочастотные характеристики.

• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
  Отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы, определяющее усиление транзистора при постоянных условиях.

Корпус транзистора:

• Тип корпуса: SOT-23
  Компактный поверхностный монтажный корпус, обеспечивающий малые размеры и легкость в установке на печатной плате.

Применение:

Транзистор MMBT9015LT1 подходит для использования в различных аналоговых и цифровых схемах, включая усилители сигналов, переключающие устройства и схемы с высоким быстродействием. Его характеристики делают его идеальным для приложений, требующих надежности, компактных размеров и высокой частотной производительности.