Полевые транзисторы
2SK2837
2SK2837: MOSFET транзисторПроизводитель: ToshibaОсновные параметры:Корпус: TO-3PТип структуры: N-кан..
50.00 Грн
07N65E
07N65E Power MOSFET (TO-220F)Общие характеристики:Тип транзистора: MOSFETПолярность: N-каналЭлектрич..
60.00 Грн
09N03LA
Характеристики MOSFET транзистора 09N03LAТип транзистора: MOSFETПолярность: N-канальныйМаксимальная ..
15.00 Грн
13N03LA
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 WПредельно доп..
15.00 Грн
20N60C3
20N60C3Тип управляющего канала: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 164 ВтПредельно до..
0.00 Грн
20N60S5
20N60S5Наименование продукта: MOS транзистор мощныйМодель: 20N60S5Количество контактов: 3Напряжение ..
50.00 Грн
2N7002
Технические характеристики транзистора 2N7002Основные характеристики:Тип транзистора: MOSFETПолярнос..
1.00 Грн
2SK170(BL)
характеристики транзистора 2SK170(BL):Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток (U_DS): 4..
30.00 Грн
2SK3797
Транзистор 2SK3797Тип транзистора: MOSFETПолярность: N-канальныйМаксимальная рассеиваемая мощность (..
50.00 Грн
30F124
30F124 / GT30F124 - N-канальный IGBT ТранзисторОсновные характеристики:Модель: 30F124 / GT30F124Тип:..
20.00 Грн
30F131
30F131 - N-канальный IGBT с Изолированным ЗатворомПрименение: Транзистор 30F131 в основном использу..
30.00 Грн
AO3400
Маркировка: A01TF_A09TMOSFET AO3400Тип транзистора: MOSFETПолярность: N-канальныйХаракт..
4.00 Грн
AO3401
MOSFET AO3401Тип транзистора: MOSFETПолярность: P-канальныйХарактеристики:Максимальная рассеиваемая ..
2.00 Грн
AO4411
MOSFET Транзистор AO4411Максимальное напряжение сток-исток (VDS): не указано в данныхМаксимальный то..
20.00 Грн