Технические характеристики NCE7560K

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N-канальный
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 75 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В
• Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 60 А
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 100 нКл
• Время нарастания (tr): 11.8 нс
• Выходная емкость (Cd): 340 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds(on)): 0.0085 Ом

Применение:

MOSFET NCE7560K предназначен для использования в различных приложениях, требующих высокой мощности и быстрого переключения. Он подходит для применения в источниках питания, драйверах моторов и других схемах, где требуется управление высоким током и напряжением.