Технические характеристики транзистора 2N7002

Основные характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.33 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 60 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В
• Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.5 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 0.115 А
• Выходная емкость (Cd): 50 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds(on)): 7.5 Ом

Применение:

• Переключающие схемы: Подходит для использования в переключающих схемах благодаря своему относительно низкому пороговому напряжению и хорошему сопротивлению при включении.
• Маломощные приложения: Максимальная рассеиваемая мощность 0.33 Вт делает его подходящим для маломощных приложений, таких как управляющие и переключающие схемы в электронике.
• Драйверы нагрузки: Может использоваться в схемах управления нагрузками, где требуется переключение низковольтных сигналов.

Особенности:

• Высокое напряжение сток-исток: Поддержка напряжений до 60 В позволяет использовать транзистор в схемах с относительно высоким рабочим напряжением.
• Низкое сопротивление при включении: Сопротивление сток-исток при включенном состоянии 7.5 Ом обеспечивает низкие потери на сопротивлении и эффективное переключение.
• Пороговое напряжение включения: Пороговое напряжение включения 2.5 В делает его подходящим для использования в низковольтных схемах управления.