HY3008P MOSFET

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N-Channel (N)

Основные параметры:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 Вт
  Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать в виде тепла при заданных условиях работы. Высокое значение указывает на способность MOSFET выдерживать большие токи и напряжения без перегрева.

• Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 80 В
  Это максимальное напряжение между стоком и истоком, которое транзистор может выдерживать без риска пробоя. Это значение важно для предотвращения повреждений при работе с высокими напряжениями.

• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 25 В
  Это максимальное напряжение, которое можно приложить между затвором и истоком без риска повреждения транзистора. Это значение определяет, насколько большой управляющий сигнал можно подать без риска пробоя.

• Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4 В
  Это минимальное напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить ток между стоком и истоком. Оно определяет, какое напряжение необходимо для того, чтобы MOSFET начал проводить.

• Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 100 А
  Это максимальный ток, который транзистор может проводить через сток при заданных условиях. Высокое значение позволяет использовать MOSFET в системах с большими токами.

• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  Это максимальная температура, при которой транзистор может работать без риска повреждения. Высокое значение указывает на способность MOSFET работать при высоких температурах.

• Общий заряд затвора (Qg): 67 нКл
  Это количество заряда, необходимое для переключения транзистора между состояниями включения и выключения. Меньшее значение заряда затвора обычно связано с более быстрой работой MOSFET.

• Время нарастания (tr): 39 нс
  Это время, необходимое для перехода транзистора из состояния выключения в состояние включения. Меньшее время нарастания позволяет MOSFET быстрее переключаться.

• Выходная емкость (Cd): 440 пФ
  Это емкость, измеряемая между стоком и истоком, которая влияет на скорость переключения и потери мощности. Низкое значение выходной емкости способствует более быстрой работе MOSFET.

• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds(on)): 0.0085 Ом
  Это сопротивление между стоком и истоком, когда MOSFET находится в включенном состоянии. Низкое сопротивление уменьшает потери мощности и теплообразование в транзисторе.

Оригинал-демонтаж (ножки немного откусаны)