IGBT H20R1203

Тип транзистора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) + Диод
Маркировка: H20R1203
Тип управляющего канала: N-Channel

Электрические характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310 Вт
  Это максимальное количество энергии, которое транзистор может рассеивать без перегрева. Высокая мощность рассеяния делает этот IGBT подходящим для работы в мощных системах, где требуются значительные уровни энергии.

• Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 1200 В
  Это максимальное напряжение, которое может быть приложено между коллектором и эмиттером без нарушения работы транзистора. Такое напряжение позволяет использовать данный IGBT в высоковольтных приложениях.

• Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Vge): 20 В
  Это максимальное напряжение, которое может быть приложено между эмиттером и затвором для управления транзистором. Это значение определяет диапазон управляющих сигналов, которые могут быть поданы на затвор.

• Максимальный постоянный ток коллектора (Ic) при 25°C: 40 А
  Это максимальный ток, который транзистор может проводить без перегрева при температуре 25°C. Высокий ток позволяет использовать этот IGBT в приложениях с высокими токовыми нагрузками.

• Типовое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 1.48 В
  Это напряжение, которое возникает на коллекторе и эмиттере, когда транзистор находится в проводящем состоянии. Низкое значение VCE(sat) указывает на высокую эффективность переключения и малые потери мощности в открытом состоянии.

• Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер (VGE(th)): 6.4 В
  Это минимальное напряжение затвора, необходимое для включения транзистора. Этот параметр определяет, при каком напряжении транзистор начинает проводить ток.

• Максимальная температура перехода (Tj): 175°C
  Это максимальная температура, которую может выдерживать кристалл транзистора без ущерба для его работы и долговечности. Высокая температура перехода обеспечивает надежную работу в экстремальных условиях.

• Типовая емкость коллектора (Cc): 50 пФ
  Это емкость между коллектором и эмиттером, которая влияет на частотные характеристики и скорость переключения транзистора. Низкая емкость способствует быстрому переключению.

• Общий заряд затвора (Qg): 211 нКл
  Это количество заряда, необходимое для переключения транзистора. Низкий заряд затвора указывает на высокую скорость переключения и эффективное управление транзистором.

Тип корпуса:

• TO-247: Прочный корпус, обеспечивающий надежное теплоотведение и легкость в монтаже на печатную плату. Корпус TO-247 подходит для применения в мощных системах и обеспечивает хорошее охлаждение.

Этот IGBT предназначен для использования в мощных электронных системах, где требуется эффективное управление высоким напряжением и током. Он идеально подходит для промышленных инверторов, источников питания, преобразователей мощности и других высоковольтных приложений, где важна высокая надежность и эффективность