FQA24N50 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для высоковольтных приложений с высокой мощностью. Он отличается отличной способностью управлять большими токами и выдерживать высокие напряжения, что делает его подходящим для применения в источниках питания, инверторах и других мощных электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N-канал
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 290 Вт
  • Высокая мощность рассеивания позволяет транзистору работать в условиях значительных нагрузок.
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 В
  • Высокое допустимое напряжение обеспечивает возможность использования в цепях с высоким напряжением.
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 В
  • Обеспечивает надежную работу при высоком напряжении управления.
• Пороговое напряжение включения (Ugs(th)): 5 В
  • Это напряжение определяет уровень, при котором транзистор начинает проводить ток между стоком и истоком.
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 А
  • Транзистор может управлять значительными токами, что делает его подходящим для мощных цепей.
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  • Высокая температура канала обеспечивает надежность работы в условиях высоких нагрузок и перегрева.
• Общий заряд затвора (Qg): 90 нКл
  • Заряд затвора влияет на скорость переключения транзистора, важный параметр для высокочастотных приложений.
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0,2 Ом
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии снижает потери энергии и повышает КПД системы.

Корпус:

• Тип корпуса: TO3PN
  • Надежный корпус для эффективного рассеивания тепла и обеспечения долговечности устройства.

Применение:

FQA24N50 широко применяется в устройствах, требующих работы с высокими напряжениями и токами, таких как импульсные источники питания, силовые преобразователи, инверторы и промышленные контроллеры.