Микросхема MDP1991

Полярность: N (N-канальный MOSFET)

Технические характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 223 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 100 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В
• Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 120 А
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 100 нК
• Время нарастания (tr): 28.8 нс
• Выходная емкость (Cd): 1300 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds(on)): 0.0059 Ом

Описание

MDP1991 — это мощный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в высокомощных и высокоскоростных приложениях. Его высокая рассеиваемая мощность (223 Вт) и большой максимально допустимый ток стока (120 А) делают его подходящим для управления крупными нагрузками и в качестве ключевого элемента в мощных схемах.

Ключевые особенности:

• Широкий диапазон напряжений: С максимально допустимым напряжением сток-исток 100 В и напряжением затвор-исток до 20 В, MDP1991 способен работать в различных высоковольтных системах.
• Низкое сопротивление открытого транзистора (Rds(on)): Низкое сопротивление сток-исток в 0.0059 Ом обеспечивает низкие потери мощности и эффективное управление током.
• Быстрая переключаемость: Время нарастания в 28.8 нс и общий заряд затвора 100 нК позволяют этому MOSFET быстро переключаться, что делает его пригодным для высокочастотных приложений.
• Высокая термостойкость: Максимальная температура канала в 150 °C позволяет использовать этот транзистор в жестких условиях эксплуатации.

MDP1991 широко используется в мощных преобразователях, инверторах, системах управления двигателями и других приложениях, где требуются надежные и высокоэффективные MOSFET-транзисторы.