PHD78NQ03LT представляет собой мощный N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводник с изоляцией) транзистор, предназначенный для работы в высокоэффективных схемах, где требуется низкое сопротивление канала и высокая рассеиваемая мощность. Его ключевые характеристики делают его идеальным для применения в силовых электронных схемах, таких как источники питания, схемы управления двигателями и другие устройства, где требуется надежное переключение с минимальными потерями.

Характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

• Полярность: N-канал (N-channel), что означает, что транзистор будет проводить ток, когда напряжение на затворе (G) будет выше, чем на источнике (S).

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 Вт

  • Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без повреждения, и она указывает на его способность эффективно справляться с высокими нагрузками.

• Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 25 В

  • Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком (D) и истоком (S) транзистора без разрушения.

• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В

  • Максимальное напряжение, которое может быть приложено между затвором (G) и истоком (S), чтобы не повредить транзистор.

• Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2 В

  • Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить ток между стоком и истоком.

• Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 75 А

  • Максимальный ток, который транзистор может проводить от стока к истоку при заданных условиях.

• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

  • Температура, при которой транзистор может работать без риска повреждения. Эта характеристика указывает на термостойкость устройства.

• Время нарастания (tr): 46 нс

  • Время, необходимое для того, чтобы ток через транзистор вырос от 10% до 90% от его максимального значения. Этот параметр определяет скорость переключения транзистора.

• Выходная емкость (Cd): 415 пФ

  • Емкость между стоком и затвором в выключенном состоянии. Низкое значение емкости способствует более быстрому переключению.

• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds(on)): 0.009 Ом

  • Сопротивление между стоком и истоком, когда транзистор полностью открыт. Низкое сопротивление приводит к меньшим потерям на переключение и лучшему КПД.

Применение:

PHD78NQ03LT может использоваться в различных силовых приложениях, включая:

• Источники питания (например, DC-DC преобразователи)
• Управление моторами
• Включение и выключение высокомощных нагрузок
• Схемы защиты и управления
• Системы преобразования энергии

Благодаря своей высокой рассеиваемой мощности и низкому сопротивлению канала, этот MOSFET транзистор обеспечивает надежное и эффективное переключение в различных условиях эксплуатации.

БУ