Характеристики MOSFET транзистора 09N03LA

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N-канальный
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 25 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В
• Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 50 А
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Время нарастания (tr): 88 нс
• Выходная емкость (Cd): 530 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds(on)): 0.0089 Ом

Этот MOSFET транзистор обладает высокой проводимостью и низким сопротивлением в открытом состоянии, что делает его подходящим для использования в мощных переключающих цепей.

БУ