IRF3704ZS
Тип транзистора: N-канальный MOSFET
Характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность (P<sub>d</sub>): 57 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (U<sub>DS</sub>): 20 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (U<sub>GS</sub>): 20 V
- Пороговое напряжение включения (U<sub>GS(th)</sub>): 2.55 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (I<sub>D</sub>): 67 A
- Максимальная температура канала (T<sub>j</sub>): 175 °C
- Общий заряд затвора (Q<sub>G</sub>): 8.7 nC
- Время нарастания (t<sub>r</sub>): 38 ns
- Выходная емкость (C<sub>D</sub>): 390 pF
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (R<sub>DS(on)</sub>): 0.0079 Ω
Корпус: SO-8
Применение:
IRF3704ZS предназначен для использования в схемах, где требуется высокая проводимость и низкое сопротивление канала при малых напряжениях. Он может быть применён в различных схемах управления, преобразователях и других радиоэлектронных устройствах.
БУ
IRF3704ZS
- Код товара: IRF3704ZS
- Доступность: 3
-
30.00 Грн
Теги: IRF3704ZS, Радиодетали недорого, Разъемы, транзисторы, микросхемы, диоды, конденсаторы, стабилизаторы напряжения