FDU8896

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N-канальный

Характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Vds): 30 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs): 20 В
• Пороговое напряжение включения (Vgs(th)): 2.5 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 94 А
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Время нарастания (tr): 106 нс
• Выходная емкость (Cd): 490 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds(on)): 0.0057 Ом

Описание:

FDU8896 — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для работы в приложениях с высоким током и низким сопротивлением канала. Он обеспечивает низкие потери при переключении и высокую эффективность, что делает его подходящим для использования в схемах с высокими токами и частыми переключениями.

Применение:

Этот транзистор можно использовать в различных силовых приложениях, включая источники питания, преобразователи и драйверы моторов, где требуется высокая эффективность и надежность при работе с высокими токами и напряжениями.

БУ