T60N02R — это N-канальный MOSFET транзистор с характеристиками, которые делают его подходящим для различных приложений в области переключения и усиления. Вот его технические параметры:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N-канальный
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 58 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 А
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 9.5 нКл
• Время нарастания (tr): 33 нс
• Выходная емкость (Cd): 480 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds(on)): 0.0105 Ом

Эти характеристики указывают на то, что транзистор T60N02R способен работать при высоких токах и напряжениях, обеспечивая низкое сопротивление в открытом состоянии и быстрое переключение.

БУ