HFS2N60 — это N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в мощных импульсных источниках питания и других силовых системах. Основные характеристики:

• Тип управляющего канала: N-канальный
• Максимальная мощность рассеивания (Pd): 23 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): 30 В
• Максимальное пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 4,5 В
• Максимальный ток стока (Id): 2 А
• Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C
• Полный заряд затвора (Qg): 9 нКл
• Время нарастания (tr): 40 нс

Этот транзистор подходит для применения в высоковольтных цепях, где требуются надежные ключевые компоненты с низкими потерями на переключение.

БУ