30F131 - N-канальный IGBT с Изолированным Затвором

Применение: Транзистор 30F131 в основном используется в плазменных панелях.

Характеристики:

• Модель: 30F131
• Производитель: Toshiba
• Корпус: TO-263-2
• Напряжение пробоя (Vceo): 360 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 300 В
• Максимальный импульсный ток затвора (Icm): 200 А
• Напряжение насыщения при номинальном токе (Vce(sat)): 1,9 В
• Мощность (Ptot): 140 Вт
• Рабочая температура: -50°C до +150°C

Дополнительная информация:

• Цена указана за единицу товара. При покупке значительных количеств (для каждого чипа индивидуально) можно указать в комментариях к заказу "Предложите скидку". Менеджер свяжется с вами для согласования цены.
• Примечание: Мы не несем ответственности за работоспособность микросхемы в проектах и схемах, разработанных и собранных самим пользователем или третьими лицами. Работоспособность может гарантироваться только в проектах и схемах, разработанных производителями электроники. Покупатель должен сам оценить свою компетентность при создании проекта. При сомнениях в качестве исполнения микросхемы производителем, рекомендуем сначала покупать пробную партию в единичных количествах. Мы можем зарезервировать требуемые количества на срок до 7 дней, чтобы они были именно из этой партии.