FDP2532

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N-канальный

Технические параметры:

• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 150 В
• Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id): 79 А
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В
• Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)): 0.016 Ом при Id = 33 А, Vgs = 10 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 Вт
• Корпус: TO-220AB

Описание:

FDP2532 — это N-канальный MOSFET, предназначенный для приложений, где требуется высокое сопротивление канала и высокая максимальная рассеиваемая мощность. Этот транзистор обладает низким сопротивлением канала в открытом состоянии, что обеспечивает эффективное управление и минимальные потери при высоких токах.

Применение:

MOSFET FDP2532 используется в различных силовых приложениях, таких как источники питания, драйверы моторов и преобразователи, где необходима высокая производительность и способность выдерживать значительные нагрузки.