Технические характеристики RFP30N06LE

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 96 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 В
• Пороговое напряжение включения (Ugs(th)): 2 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 А
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
• Общий заряд затвора (Qg): 62 нКл
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds(on)): 0.047 Ом
• Тип корпуса: TO220AB

Этот MOSFET подходит для различных приложений, включая силовые преобразователи, управления моторами и источники питания.