30F124 / GT30F124 - N-канальный IGBT Транзистор

Основные характеристики:

• Модель: 30F124 / GT30F124
• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 300 В
• Максимальный импульсный ток коллектор-эмиттер (Ic): 200 А
• Корпус: TO-220F
• Идентификация: Помечено как 30F124, но может также обозначаться как GT30F124.

Примечания:

• Ножки наварены

Этот транзистор подходит для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как источники питания и преобразователи энергии.