20N60C3

• Тип управляющего канала: N-Channel
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 164 Вт
• Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 В
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2 В
• Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 В
• Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 А
• Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C
• Время нарастания (tr): 34 нс
• Корпус: TO-220AB

MOSFET 20N60C3 — это N-канальный MOSFET с высоким напряжением и большим допустимым током, предназначенный для применения в мощных схемах. Он имеет высокую рассеиваемую мощность и относительно низкое напряжение насыщения, что позволяет эффективно управлять нагрузками и снижать потери в транзисторе. Корпус TO-220AB обеспечивает надежное рассеивание тепла и удобство в монтаже