• P9NK50ZFP – это N-канальный MOSFET транзистор, который предназначен для использования в различных силовых приложениях, где требуется высокий уровень переключения и эффективное управление током. Он отличается высокой предельно допустимой мощностью и низким сопротивлением канала, что делает его идеальным для применения в источниках питания, схемах управления двигателями и других высоконагруженных системах.

  Характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

• Полярность: N-канал (N-channel), что означает, что транзистор проводит ток при положительном напряжении на затворе относительно источника.

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 Вт

  • Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без риска перегрева или повреждения.

• Предельно допустимое напряжение сток-исток (|Uds|): 500 В

  • Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком (D) и истоком (S) без разрушения транзистора.

• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (|Ugs|): 20 В

  • Максимальное напряжение, которое может быть приложено между затвором (G) и истоком (S) без повреждения транзистора.

• Пороговое напряжение включения (|Ugs(th)|): 2.0 В

  • Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить ток между стоком и истоком.

• Максимально допустимый постоянный ток стока (|Id|): 9 А

  • Максимальный ток, который транзистор может проводить при заданных условиях без перегрева.

• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

  • Температура, при которой транзистор может работать без риска повреждения. Высокая температура канала обеспечивает надежность в условиях перегрева.

• Время нарастания (tr): 110 нс

  • Время, необходимое для того, чтобы ток через транзистор вырос от 10% до 90% от его максимального значения. Это значение определяет скорость переключения транзистора.

• Выходная емкость (Cd): 1.2 нФ

  • Емкость между стоком и затвором в выключенном состоянии. Низкая выходная емкость способствует быстрому переключению и меньшим потерям энергии.

• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds(on)): 0.35 Ом

  • Сопротивление между стоком и истоком, когда транзистор полностью открыт. Низкое сопротивление снижает потери на переключение и повышает эффективность работы.

Корпус:

• Тип корпуса: TO-220F
  • Стандартный корпус, обеспечивающий хорошее теплоотведение и легкость монтажа.

Применение:

P9NK50ZFP может быть использован в различных силовых и управляемых приложениях, таких как:

• Источники питания и преобразователи напряжения
• Системы управления двигателями
• Включение и выключение высокомощных нагрузок
• Энергетические преобразователи и схемы защиты

Эти характеристики делают P9NK50ZFP надежным выбором для множества высоковольтных и высокотоковых приложений, обеспечивая стабильную работу и эффективность в различных условиях эксплуатации.