FQP30N06 — это MOSFET транзистор с характеристиками, которые делают его подходящим для различных мощных приложений. Вот подробные параметры:

• Тип транзистора: MOSFET

• Полярность: N

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 Вт
  Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.

• Предельно допустимое напряжение сток-исток (U_DS): 60 В
  Это максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком без риска пробоя транзистора.

• Предельно допустимое напряжение затвор-исток (U_GS): 20 В
  Это максимальное напряжение, которое можно приложить между затвором и истоком.

• Максимально допустимый постоянный ток стока (I_D): 30 А
  Это максимальный ток, который может протекать через сток при заданных условиях.

• Максимальная температура канала (T_J): 150 °C
  Это максимальная температура, при которой транзистор может работать без повреждений.

• Время нарастания (t_r): 96 нс
  Это время, необходимое для увеличения тока стока от 10% до 90% от его максимального значения.

• Выходная емкость (C_D): 300 пФ
  Это емкость между стоком и истоком, которая влияет на скорость переключения транзистора и его эффективность.

• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.032 Ом
  Это сопротивление между стоком и истоком, когда транзистор полностью включен.

• Тип корпуса: TO-220, TO-220F, TO-251, TO-252, TO-220F1
  Это варианты корпусов, в которых доступен транзистор, что влияет на его монтаж и охлаждение.