ехнические параметры MOSFET (похож на RD16HHF1):

• Структура: N-канал
• Максимальное напряжение сток-исток (Uds): 30 В
• Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id): 4 А
• Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 Вт
• Тип корпуса: TO-220AB
• Частотные характеристики: 175/520 МГц, 15 Вт

Особенности: Этот MOSFET предназначен для работы при относительно низких напряжениях сток-исток, с хорошими характеристиками мощности и частоты. Корпус TO-220AB обеспечивает эффективное теплоотведение, что важно для обеспечения надежной работы при максимальных токах и мощностях.