Биполярные транзисторы

Характеристики транзистора 2N2222Структура: n-p-nМаксимальные допустимые параметры:Напряжение коллек..

2.00 Грн

Технические характеристики и электрические параметры транзистора 2N3906Структура транзистора: p-n-pМ..

1.00 Грн

Технические характеристики транзистора 2SA1015-MSОсновные характеристики:Полярность: PNPТип ма..

2.00 Грн

Транзистор 2SA1302 — это мощный биполярный p-n-p транзистор, предназначенный для использования в выс..

80.00 Грн

Транзистор 2SA1941 — это мощный биполярный p-n-p транзистор, который предназначен для использования ..

40.00 Грн

Технические характеристики транзистора 2SA733Основные характеристики:Полярность: PNPМаксимальная рас..

1.50 Грн

Транзистор 2SB688 представляет собой мощный биполярный p-n-p транзистор, предназначенный для использ..

0.00 Грн

Транзистор B772 — это PNP биполярный транзистор с характеристиками:Материал транзистора: кремний (Si..

10.00 Грн

Технические характеристики транзистора 2SC1815-MSОсновные характеристики:Тип материала: Si (Кр..

3.00 Грн

Наименование производителя: 2SC2655Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая м..

5.00 Грн

2SC3281 — это биполярный транзистор с NPN-структурой, предназначенный для использования в различных ..

35.00 Грн

Модель: 2SC3858Материал: Кремний (Si)Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность: 200 ВтМаксим..

100.00 Грн

характеристики транзистора 2SC5198:Структура: n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 140 ВНапр..

40.00 Грн

2SD718:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 ВтМаксимально допустимое напряжен..

0.00 Грн

Низкое насыщение по напряжению: VCE(sat) = 0.5 В макс. (IC = -2 А, IB = 0.2 А)Отличная линейность hF..

15.00 Грн