MMBT4403-G

Общие характеристики:

• Наименование производителя: MMBT4403-G
• Маркировка: 2T
• Тип материала: Кремний (Si)
• Полярность: PNP

Электрические характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Вт
  Максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева и риска повреждения.

• Максимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 В
  Максимальное напряжение, которое транзистор может выдерживать между коллектором и базой.

• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 В
  Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером, которое транзистор может выдерживать.

• Максимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В
  Максимальное напряжение между эмиттером и базой, которое транзистор может выдерживать.

• Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 А
  Максимальный ток, который может протекать через коллектор при нормальных условиях эксплуатации.

• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  Максимальная температура PN-перехода, при которой транзистор может функционировать без риска повреждения.

• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 МГц
  Частота, при которой транзистор сохраняет стабильный коэффициент передачи тока, что важно для высокочастотных приложений.

• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  Коэффициент усиления по току транзистора при постоянных условиях, определяющий его способность усиливать сигналы.

Корпус транзистора:

• Тип корпуса: SOT-23
  Компактный корпус для поверхностного монтажа, обеспечивающий малые размеры и удобство размещения на печатной плате.

Применение:

Транзистор MMBT4403-G идеально подходит для использования в маломощных усилителях, переключателях и схемах, где требуется компактный размер и надежная работа при относительно высоких частотах и токах. Он может быть использован в различных электронных устройствах и системах, требующих устойчивости к изменениям температуры и стабильности работы